| Сверхбыстрая рабочая станция для маркировки | 532 нм или 1064 нм | 10–900 пс | 5–30 Вт | 10–100 мкДж | Тонкая маркировка на металлах, керамике, деталях с покрытием, электронных и медицинских компонентах. | Высокая контрастность, очень малая зона термического воздействия, подходит для детальной графики. | Низкая производительность при гравировке больших площадей; требуется точная фокусировка. | Средний до высокого | ★★★★★ |
| Мощная пикосекундная система микрообработки | 1030–1064 нм; дополнительные гармонические длины волн. | 1–20 пс | 50–300 Вт | 20–500 мкДж | Микросверление, удаление тонких пленок, прецизионная резка и промышленная текстуризация поверхностей. | Высокая производительность при минимальном термическом повреждении при оптимизации параметров процесса. | Более высокая стоимость приобретения, более высокие требования к охлаждению и доставке пучка излучения. | Высокий | ★★★★★ |
| Зеленая пикосекундная лазерная платформа | 515–532 нм | 5–50 пс | 10–100 Вт | 10–200 мкДж | Медь, золото, полупроводниковые материалы, прозрачные покрытия и чувствительная электроника. | Во многих отражающих материалах поглощение выше, чем в инфракрасном диапазоне. | Более сложная оптическая архитектура и, как правило, более высокие затраты на техническое обслуживание. | Высокий | ★★★★☆ |
| Ультрафиолетовая пикосекундная система | 343–355 нм | 5–50 пс | 3–30 Вт | 1–50 мкДж | Пластмассы, стекло, пленки, гибкие схемы, дисплеи и технологии холодной абляции. | Малая зона взаимодействия и высокая эффективность на многих неметаллических материалах. | Оптические элементы и источники УФ-излучения могут иметь более короткие интервалы обслуживания; более низкую выходную мощность. | Средний до высокого | ★★★★☆ |
| система пикосекундной обработки в пакетном режиме | 1030–1064 нм или 515–532 нм | 2–20 пс на суб-импульс | 20–150 Вт | Регулируемая импульсная энергия | Функционализация поверхности, текстурирование, высокоскоростная гравировка и селективное удаление материала. | Гибкое управление группами импульсов может повысить скорость удаления материала и качество поверхности. | Оптимизация процесса — более сложная задача; результаты сильно зависят от настроек пакетной обработки. | Высокий | ★★★★☆ |
| Компактная лабораторная пикосекундная платформа | 1030–1064 нм | 10–900 пс | 1–10 Вт | 1–30 мкДж | Исследования, создание прототипов, разработка параметров и мелкосерийная высокоточная обработка. | Низкие требования к площади и коммуникациям; удобство для экспериментов. | Ограниченная скорость производства и рабочая зона по сравнению с промышленными системами. | Низкий до среднего | ★★★☆☆ |